#一、定义
TTL集成电路的全名是晶体管-晶体管逻辑集成电路（Transistor-Transistor Logic)，主要有54/74系列标准TTL、高速型TTL（HTTL）、低功耗型TTL（LTTL）、肖特基型TTL（S-TTL）、低功耗肖特基型TTL（LSTTL）五个系列。
CMOS集成电路全名是互补金属-氧化物-半导体场效应管（Complementary metal-oxide-semiconductor）。
TTL电路的电平就叫TTL电平，CMOS电路的电平就叫CMOS电平。

#二、标准电平
TTL电平：
　　输出：低电平小于0.4V，高电平高于2.4V
　　输入：低电平小于0.8V，高电平高于2.0V
CMOS电平：
　　输出：低电平小于0.1Vcc，高电平高与0.9Vcc
　　输入：低电平小于0.3Vcc，高电平高于0.7Vcc

　　对于5V的TTL电平，在室温情况下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平是0.2V；输入高电平高于2.0V，输入点电平小于0.2V；噪声容限是0.4V。
CMOS的逻辑高电平电压接近于电源电压，低电平电压接近于0.

#三、TTL与CMOS电路比较

• TTL集成电路功耗大，驱动能力强，一般提供25mA的驱动电流；CMOS集成电路功耗 低，与输入的信号频率有关，工作电压范围大，一般提供10mA左右驱动电流。
• TTL是电流控制器件，一般需要2.5mA的输入电流；CMOS是电压控制器件，几乎不需要电流输入。
• TTL电路速度快，传输延时时间短（5-10ns）；CMOS速度慢，传输时间较长（25-50ns）。
• CMOS锁定效应：CMOS电路由于输入太大的电流，内部电流急剧增加，除非切断电源，否则一直在增加。当产生锁定效应时，内部电流达到40mA以上时，就会烧毁芯片。对此可以采取以下措施：　　　　
  　　a、在输入端和输出端加钳位电路，使输入和输出不超过规定电压；
  　　b、芯片的电源输入端加入去耦电容，防止VDD出现瞬间的高压；
  　　c、在VDD与外电源之间加入限流电阻，防止电流过大。
• 当系统又几个电源供电时，电源的开关按照以下顺序：开启顺序，先开启CMOS电路，再开启输入信号和负载电源；关闭顺序正好相反。
• CMOS电路注意事项：
  　　a、CMOS电路是电压控制器件，输入阻抗很大，对干扰信号的扑捉能力很强，因此不用的管脚不能悬空，要通过上拉或者下拉给定一个电平；
  　　b、输入端接低内阻的信号时，在输入端与信号之间加限流电阻，使输入的电流限制在1mA以内；
  　　c、接长信号传输线时，在CMOS电路端接匹配电阻；
  　　d、在输入端接大电容时，应该在输入端和电容之间接保护电阻，保护电阻的组值R=Vo/1mA，Vo为外界电容上的电压；
  　　e、CMOS输入电流超过1mA时，可能会烧坏CMOS。
• TTL门电路中输入端负载特性
  　　a、悬空时相当于输入端接高电平；
  　　b、输入端接的串联电阻小于910欧姆的时候，输入的低电平信号才能被门电路识别，否则输入端门电路一直呈现高电平。